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何老師

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    TOF-SIMS(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)是通过用一次高能离子束轰击样品表面,通过收集产生的的二次离子,根据二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来测定离子质量的极高分辨率的测量技术。

    技術優勢

    1. 优异的掺杂剂和杂质检测灵敏度。可以检测到ppm或更低的浓度

    2. 深度剖析具有良好的检测限制和深度辨析率

    3. 小面积分析(10 ?m 或更大)

    4. 检测包含H在内的元素及同位素

    5. 优良的动态范围(6 orders of magnitude)

    6. 在某些应用中可能用来做化学计量/组成成份

    主要用途

    1. 掺杂剂与杂质的深度剖析

    2. 薄膜的成份及杂质测定 (金属、电介质、锗化硅 、III-V族、II-V族)

    3. 超薄薄膜、浅植入的超高深度辨析率剖析

    4. 硅材料整体分析,包含B, C, O,以及N

    5. 工艺工具(离子植入)的高精度分析